国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓↓↓ 10月22日消息，据市场研究机构Omdia数据显示，今年第二季度，长江存储已经 占据中国NAND市场38.5%的份额， 去年这一数据为28%；三星在中国NAND市场的份额则从去年二季度的36%下降至今年的33.5%，SK海力士的份额也从20%降至17%。 据报道，韩国两大存储芯片巨头三星电子和SK海力士正升级其在华工厂，计划生产更先进的存储芯片。 报道称，美国的监管与限制影响了三星电子和SK海力士在中国大陆的产能，致使它们的中国市场份额被中国长江存储公司逐步超越。 电子和SK海力士高管此前也曾公开警告，地缘政治紧张局势正在削弱两家公司的在华业务。三星电子和SK海力士表示，他们正在推进工厂升级，并与美国政府保持密切沟通。不过，这两家公司没有披露生产计划升级的详细信息。 根据消息人士的说法，三星电子和SK海力士正在推动其中国工厂生产200层以上的NAND闪存芯片，使其产品技术水平与韩国本土工厂保持一致。 两名知情人士称，三星电子位于西安的工厂目前能生产约200层的NAND芯片，产能约占该公司全球NAND产量的40%。 三星电子内部将此次升级计划称为“Monami”，法语意为“我的朋友”。其中一名知情人士透露，三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND芯片，并打算在今年12月实现月产5000片晶圆，到2027年12月进一步提升至4万片。 另据三名知情人士，SK海力士计划将其大连工厂升级至生产240层及以上的NAND产品。目前，该工厂生产的产品最高约为192层。SK海力士于2021年收购英特尔NAND业务时获得大连工厂。该工厂目前仍是海力士在华唯一的NAND制造基地，而这部分业务如今已更名为Solidigm，并正筹备在美国首次公开募股（IPO）。 三星电子和 SK 海力士每年需要向美国申请许可证，才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国制造产品。美国商务部工业与安全局还在去年表示，无意批准这些外国芯片制造商升级中国工厂的技术。这种监管限制削弱了他们的扩产能力，也导致部分市场份额让给长江存储。 半导体论坛百万微信群 第一步：扫描下方二维码，关注国芯网微信公众号。 文章内容整理自网络，如有侵权请联系沟通 特别